日韩欧美亚洲中文字幕,日韩欧美亚洲综合,日韩欧美亚洲综合国产,日韩欧美亚洲综合在线,日韩欧美一,日韩欧美一二区,日韩欧美一二三,日韩欧美一二三区

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method） 制備方法：改良的H法 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 單層比：99% 純度：99% 堆積密度：0.44g/cm3 體積密度：為0.26g/cm3

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克 單層比：＞90% 氧含量:~35 wt%

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.

Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. Can be deposited on various substrates either by conventional mechanical exfoliation or spin coating in the solution form

Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is 1:1 and the particle size ranges from 1-15 microns. Electrical resistivity is 1E11-1E12 Ohm.cm.