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n-type WS2 crystals N型二硫化鎢晶體

14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well as flux growth lead to our flawless WS2 crystals

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更新日期：2025-05-07

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小尺寸二硫化鉬晶體 10x10mm

Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly luminescent in the monolayer from at 1.9 eV （quasi-particle / optical band gap）.

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更新日期：2025-05-07

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TiS2 二硫化鈦晶體（Titanium Disulfide）

Our TiS2 crystals are stabilized in 1T ohase （semimetallic phase）.

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更新日期：2025-05-07

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ReS2 二硫化錸晶體（Rhenium Disulfide）

Single crystal ReS? （Rhenium disulfide） crystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods after 9 years of growth optimization to ensure anisotropi

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更新日期：2025-05-07

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WS2 二硫化鎢晶體（Tungsten Disulfide）

14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well as flux growth lead to our flawless WS2 crystals: Our large size （~1cm in size） vdW WS2 crystals are treated as gold standards

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更新日期：2025-05-07

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HfS2 二硫化鉿晶體（Hafnium Disulfide）

Hafnium disulfide （HfS?） is an indirect gap layered semiconductor in the bulk and becomes direct gap semiconductor in monolayer form.

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更新日期：2025-05-07

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